GALLIUM NITRIDE(CAS番号:25617-97-4)

ガリウムń实训ride

基本情報

CAS番号

25617-97-4

分子式

GaN

分子量

83.73 g/mol

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基本的な物理特性

融点

800 °C

沸点

800°C

水溶性

Slightly soluble in hot concentrated sulfuric acid and hot conc. sodium hydroxide. Insoluble in water and dilute acids.

屈折率

2.70 (27 ºC)

InChI

InChI=1S/Ga.N

InChIKey

JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N

LogP

0.16199999999999998

トポロジカル極性表面積

35.0 Ų

水素結合ドナー/アクセプター

3 / 1

複雑度

10

安全情報

安全情報を表示

GHS危険象形図

H317H317

危険性の表示

H317 アレルギー性皮膚反応を起こすおそれ
感作性(皮膚)

安定性

Stability Store under dry argon. Water and moisture sensitive. Incompatible with strong oxidizing agents.

感度

Moisture Sensitive

同義語と引用データ

英語

  • Gallium(III) nitride
  • 25617-97-4
  • Gallium Nitride Substrates
  • Gallium nitride, 99.99% trace metals basis
  • MFCD00016108
  • Gallium Nitride; Nitridogallane; Nitrilogallane; Gallium Nitride
  • GaN Substrate
  • CVD Graphene on Quartz
  • Gallium mononitride
  • DTXSID2067111
  • Copper Aluminum Oxide (CuAlO2) Sputtering Targets
  • Q411713
  • EINECS 247-129-0
  • UNII-1R9CC3P9VL
  • Gallium nitride (GaN)
  • GaN compound
  • azanylidynegallane
  • 1R9CC3P9VL
  • Gallium nitride
  • GaN Wafer
  • Gallium Nitride wafer
  • gallium(iii) nitride
  • nitridogallium

MDL番号

MFCD00016108

よくある質問

ガリウムナイトロライドとは何ですか?

ガリウムナイトロライドは、CAS番号25617-97-4の化合物で、化学式はGaNです。これは窒化物半導体の一種であり、電子デバイスや半導体光源などに使用されます。

ガリウムナイトロライドの主な用途は何ですか?

ガリウムナイトロライドは、半導体光源、特にLEDやレーザーデバイスの材料として広く使用されています。また、高周波電子デバイスや半導体素子の製造にも使用されています。

ガリウムナイトロライドは安全ですか?

ガリウムナイトロライドは一般的に安全性は高いですが、高温下で粉塵が発生する可能性があります。取り扱いには適切な防護具と換気設備を用いることが推奨されます。

ガリウムナイトロライドはどのように保存すればよいですか?

ガリウムナイトロライドは乾燥した場所で保存し、直射日光を避けて冷暗所に保管してください。容器は密閉したプラスチックまたは金属製の容器を使用し、高温や湿気が避けて保管すると良いです。

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