Stable n-type doping of graphene via high-molecular-weight ethylene amines
文献情報
Insu Jo, Joonhee Moon, Subeom Park, Jin San Moon, Won Bae Park, Jeong Soo Lee, Byung Hee Hong
We demonstrate a stable and strong n-type doping method to tune the electrical properties of graphene via vapor phase chemical doping with various high-molecular-weight ethylene amines. The resulting carrier concentration after doping with pentaethylenehexamine (PEHA) is as high as −1.01 × 1013 cm−2, which reduces the sheet resistance of graphene by up to ∼400% compared to pristine graphene. Our study suggests that the branched structure of the dopant molecules is another important factor that determines the actual doping degree of graphene.
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Physical Chemistry Chemical Physics

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